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charge injection 본문
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1. charge injection이란?
스위치(예: MOSFET)가 꺼질 때(Gate 신호 OFF 시), 채널에 저장되어 있던 전하(charge)가 드레인이나 소스 쪽으로 주입되는 현상이다.
예시를 살펴보자.
NMOS예시 1. VIN = 1, CLK = H - NMOS ON -> 채널 형성 - VIN이 C_H에 전달 -> VOUT = 1 2.CLK = L - NMOS OFF - 게이트와 채널 사이에 존재하던 전하가 남아 있음 3. Charge injection 발생 - 채널에 있던 전하가 VIN과 OUT 쪽으로 분리되어 주입된다. - 이로인해 전하의 일부가 커패시터(OUT)으로 이동하고 VOUT이 VIN이 아니라 튄 값이 발생하게 된다. - 또한 입력도 이상적인 전압원이 아니므로 입력에도 역으로 영향을 미치게 된다. ( Kickback Noise) |
이 전압 오차가 바로 Charge Injection 현상이다.
2. 발생 현상
같은 입력인데 출력이 튐.
뚝 떨어지는 글리치발생.
불필요한 토글
3. 해결방안
방법 | 원리 | 장점 | 사용 예 |
1. Dummy Switch (더미 스위치) | 전하를 대칭 구조로 상쇄 | 간단, 효과 높음 | 샘플-앤-홀드, OLED 픽셀 https://brush-up.tistory.com/420 |
2. Transmission Gate | NMOS + PMOS 병렬로 사용 → 전하 상쇄 | Charge Injection + Kickback 동시 보상 | 고정밀 아날로그 회로 |
3. Bottom-Plate Sampling | 샘플 후 하단(바텀) 노드 먼저 끊기 | Charge Injection이 고정 전압원 쪽으로만 흐르게 함 | 고속 ADC https://brush-up.tistory.com/409 |
4. Clock Phase Optimization | 클럭의 상승/하강 시점 정밀 조절 | 스위칭 노이즈 최소화 | 고속 트랙앤홀드 |
5. 스위치 크기 최소화 | 채널 전하 자체를 줄임 | 소형 회로에서 유리 | 디지털 보상 어려울 때 |
6. Capacitive Attenuation | 주입 전하를 감쇄시키는 C-network 사용 | 고성능 아날로그 설계 | 고해상도 DAC |
7. 디지털 보정 알고리즘 | 샘플 값 보정 (offset LUT, AI 학습 기반 등) | 하드웨어 변경 없음 | AI 기반 디스플레이 구동 회로 등 |
참고
https://electronics.stackexchange.com/questions/423487/charge-injection-confusion
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